三星作為全球閃存芯片的龍頭企業，近日宣布計劃擴大其 NAND 閃存芯片的生產。三星計劃投資韓國平澤市工業園區的2號生產線以擴大產能，應對因新冠疫情而擴大的生產電腦與服務器對芯片的需求。
據消息，新工廠在前月已開始動工，三星表示閃存芯片的需求量會因 5G、人工智能以及萬物互聯的發展而迅速增長，而新工廠 V-NAND 芯片的量產將會在 2021 年下半年開始。分析師表示，三星會為新工廠投資 7-8 萬億韓元(約合人民幣 407-465 億)，建成后，這條生產線會滿足 NAND 閃存芯片的中期和長期需求。三星的平澤工業園區，已經是世界其中兩條最龐大的閃存及內存芯片生產線所在地。不過，隨著需求量的不斷擴大，三星仍然會對其進一步投資。
在過去18年，三星一直是存儲芯片領域的領導者，他們最近還官宣了最新的存儲芯片技術——業內首次多達160層的 V-NAND 閃存設計。它在擁有更高存儲容量的同時，芯片密度更高。
三星電子存儲全球營銷副總裁 Cheol Choi 表示：“這次投資，再次證明了我們在存儲技術領域所擁有的無可爭辯的領導地位。即使在不確定的時刻，我們依然會繼續為市場提供最佳的內存及閃存解決方案，同時為整個 IT 行業和經濟增長做出貢獻。”
至于后者，三星計劃將其位于韓國京畿道華城的 DRAM 生產線的其中一條轉產至生產感光元件，由于 DRAM 生產線與感光元件的生產流程有 80% 左右接近，因此用于生產 DRAM 的材料以及相關設備均可用于生產感光元件。
本次轉產在新設備安裝測試后，最快將在今年開始量產，而三星需要為轉產花費 1 萬億韓元(約合人民幣 58 億)的成本。
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