智新半導體IGBT生產線產量已穩定 二期建成后年產能將再提升

日前，從東風汽車官方獲悉，自7月7日智新半導體IGBT生產線正式投入量產以來，每日產量穩定在150只左右。

根據規劃，智新半導體建成的一期年產能30萬只，二期建成后年產能120萬只，極大緩解對國外的依賴程度。

IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，與MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)功能相似，可控制的電壓范圍更高。

它是新能源汽車電動系統的核心組成，能直接控制全車交直流轉換、功率調控等核心指標。

當前，我國車規級IGBT約占全球市場份額30%以上，中高端IGBT主流器件市場被歐美日企業壟斷。

為解決功率半導體器件“卡脖子”問題，東風公司與中國中車2019年6月合資成立，智能半導體有限公司，開始自主研發生產車規級的IGBT芯片模塊，旨在打破歐美日企業在中高端IGBT市場的壟斷地位。

關鍵詞： 東風 IGBT模塊