3D堆棧緩存版Zen3公布新細節 并概述相關堆棧技術未來新發展

AMD 3D 堆棧緩存版 Zen3 的更多技術細節現已公布，官方稱可以帶來 15% 的游戲功能提升。

在 Hot Chips 33 演示中，AMD 概述了 3D 堆棧技術的未來，例如，AMD 表示他們選擇了 9 微米的微凸點 (μbump) 間距，這比未來 10 微米的英特爾 Foveros Direct 技術要密集一些。

AMD 展示了現有和未來的 3D 堆疊技術。隨著垂直晶圓間或芯片間連接的 TSV (Through Silicon Via) 鍵合量的增加，該技術將專注于更復雜的 3D 堆疊設計。

據稱，堆疊可允許進行全模對模堆疊，帶來 CPU 上有 DRAM 或 CPU 上有 CPU 的效果。該技術的發展方向是：將單獨的模塊放在各自的模塊上，就像核心 + 核心一樣。

“最終，TSV 的間距將變得更加密集，以至于模塊拆分、折疊甚至電路拆分都成為可能，這將徹底改變我們今天所知道的處理器的未來。”

IT之家了解到，AMD 還列出了所有現有的堆疊技術，包括英特爾的 fooveros /EMIB 技術，這意味著 AMD 考慮在其處理器中使用這種技術:

關鍵詞： AMD Zen3