獵云網(wǎng)3月3日消息，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“晶湛半導(dǎo)體”）宣布完成數(shù)億元B+輪戰(zhàn)略融資，本輪融資由歌爾微電子領(lǐng)投，高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場、禾創(chuàng)致遠、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續(xù)加碼。
據(jù)報道，晶湛半導(dǎo)體的本輪融資資金將主要用于公司總部和研發(fā)中心的建設(shè)，目標建成國際一流、國內(nèi)首屈一指的氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發(fā)生產(chǎn)基地，有助于推動晶湛半導(dǎo)體進入新的發(fā)展階段。
公司官網(wǎng)顯示，晶湛半導(dǎo)體成立于2012年3月，致力于為微波射頻和電力電子器件應(yīng)用領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料。2013年8月，晶湛半導(dǎo)體開始在蘇州納米城建設(shè)國際先進的GaN外延材料生產(chǎn)線，可年產(chǎn)150mm氮化鎵外延片2萬片。而后，該公司曾于2014年底，率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品。
根據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示，晶湛半導(dǎo)體目前共有280余件專利申請，其中授權(quán)發(fā)明專利超過70件，公司專利布局主要與氮化物、硅襯底等領(lǐng)域相關(guān)。
另據(jù)智慧芽此前發(fā)布的《第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報告》顯示，全球在氮化鎵產(chǎn)業(yè)已申請16萬余件專利。目前，中美日三國為氮化鎵技術(shù)的熱點布局市場，其中美日起步早，而中國則后起發(fā)力強勁，近幾年保持持續(xù)高漲趨勢。
關(guān)鍵詞： 晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資 深入研發(fā)氮化鎵外延材
