臺積電1nm以下芯片開發再次取得重大突破：實現降低電阻、提高電流

5 月 17 日消息 臺積電今日聯合臺大、麻省理工宣布，在 1nm 以下芯片方面取得重大進展，研究成果已發表于 Nature。

該研究發現，利用半金屬鉍 Bi 作為二維材料的接觸電極，可以大幅降低電阻并提高電流，實現接近量子極限的能效，有望挑戰 1nm 以下制程的芯片。

據介紹，該發現是由麻省理工團隊首先發現的，隨后臺積電將“易沉積制程”進行優化，而臺大電機系暨光電所教授吳志毅團隊則通過氦離子束微影系統”將元件通道成功縮小至納米尺寸。

IT之家此前報道，IBM 在 5 月初首發了 2nm 工藝芯片，與當前主流的 7nm 芯片相比，IBM 2nm 芯片的性能預計提升 45%，能耗降低 75%。

不過業界人士表示，由于 IBM 沒有先進邏輯制程芯片的晶圓廠，因此其 2nm 工藝無法很快落地，“彎道超車”也比較困難。

關鍵詞： 臺積電 芯片