2019年9月份，合肥長(zhǎng)鑫量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)首款DDR4內(nèi)存芯片，這兩年來(lái)已經(jīng)在多個(gè)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存品牌中商用。
根據(jù)資料，合肥長(zhǎng)鑫集成電路制造基地項(xiàng)目總投入超過(guò)2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)，由長(zhǎng)鑫12吋存儲(chǔ)器晶圓制造基地(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“基地”)、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園、空港國(guó)際小鎮(zhèn)三個(gè)片區(qū)組成。
截至2020年底，合肥長(zhǎng)鑫12吋存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目提前達(dá)到4萬(wàn)片/月產(chǎn)能，今年3月份開(kāi)始啟動(dòng)6萬(wàn)片/月產(chǎn)能建設(shè)，實(shí)現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷(xiāo)售的關(guān)鍵跨越。
內(nèi)存技術(shù)上，長(zhǎng)鑫量產(chǎn)的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工藝，此前一直沒(méi)有公布具體細(xì)節(jié)，日前兆易創(chuàng)新在一次會(huì)議上透露長(zhǎng)鑫的19nm工藝良率已達(dá)75%。
75%的良率在業(yè)內(nèi)不算頂尖，不過(guò)考慮到長(zhǎng)鑫生產(chǎn)內(nèi)存不到2年時(shí)間，現(xiàn)在的良率表現(xiàn)已經(jīng)不錯(cuò)了，制造出來(lái)還是能保證毛利的。
此外，長(zhǎng)鑫的第二代內(nèi)存升級(jí)到了17nm工藝，具體良率沒(méi)公布，但目前會(huì)比較低，還在爬升中。
